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感應(yīng)加熱電源的發(fā)展階段

來源：時(shí)間：2021-07-05 09:58:27 瀏覽次數(shù)：

1)在50年代前,感應(yīng)加熱電源主要有:工頻感應(yīng)熔煉爐，電磁倍頻器，中頻發(fā)電機(jī)組和電子管振蕩器式高頻電源。50年代末可控硅的出現(xiàn)則標(biāo)志著固態(tài)半導(dǎo)體器件為核心的現(xiàn)代電力電子學(xué)的開始。硅晶聞管的出現(xiàn)推動(dòng)了感應(yīng)加熱電源及應(yīng)用的飛速發(fā)展。至今，在中頻〈500Hz~10kz)范圍內(nèi),晶閘管中頻感應(yīng)加熱裝置已完全取代了傳統(tǒng)的中頻發(fā)電機(jī)組和電磁倍頻器。在高頻范圍內(nèi),由于晶閘管本身開關(guān)特性等參數(shù)的限制，給研制該頻段的電源帶來了很大的技術(shù)難度,它必須通過改變電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)才有可能實(shí)現(xiàn)。
2)70年代末到80年代初,現(xiàn)代半導(dǎo)體微機(jī)集成加工技術(shù)與功率半導(dǎo)體技術(shù)的結(jié)合，為開發(fā)新型功率半導(dǎo)體器件提供了條件,相繼出現(xiàn)了一大批全控型電力電子半導(dǎo)體器件，極大地推動(dòng)了電力電子學(xué)發(fā)展,為固態(tài)超音頻,高頻電源的研制提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
3)1983年IGBT的問世進(jìn)一步推動(dòng)了感應(yīng)加熱電源的發(fā)展。IGBT綜合了MOS和雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn),具有通態(tài)壓降低,開關(guān)速度快,易驅(qū)動(dòng)等優(yōu)點(diǎn)，自1998年解決了擎住問題后,大功率高速IGBT己成為眾多加熱電源的首選器件，頻率高達(dá)100kHz，功率高達(dá)MW級電源已可實(shí)現(xiàn)

4)在超高頻(100kHz以上)頻段,長期以來由電子管振式變換器產(chǎn)生。80年代興起由大功率半導(dǎo)體開關(guān)器件為元件的逆變式高頻感應(yīng)加熱電源。